山東天岳先進科技股份有限公司

上市公司：股票代碼：688234；名稱：天岳先進；股市行情鏈接：http://quote.eastmoney.com/kcb/688234.html

概要：是一家專注于碳化硅單晶襯底材料研發、生產和銷售的科技型企業。天岳先進自主掌握了從粉料合成到晶體生長、加工的完整全工藝過程。

企業名稱：山東天岳先進科技股份有限公司

統一社會信用代碼：9137010056077790XN

網址：http://www.sicc.cc/

注冊資本：42,971.1044萬(元)

成立日期：2010-11-02

所屬省市：山東省濟南市

主營：碳化硅單晶襯底材料，第三代半導體材料。

產品關鍵詞：碳化硅單晶襯底材料，4H-導電型碳化硅單晶襯底，4H-半絕緣型碳化硅單晶襯底

產品成分關鍵詞：碳化硅

 

注：以下內容信息來源：http://www.sicc.cc/

公司介紹：

山東天岳先進科技股份有限公司成立于2010年11月，是一家專注于碳化硅單晶襯底材料研發、生產和銷售的科技型企業。公司秉承“先進·品質·持續”的經營理念，以滿足客戶需求、幫助客戶解決問題為導向，重視產品品質和服務品質，自主掌握工藝技術，積極拓展市場，追求業務可持續發展。

碳化硅單晶襯底材料是一種寬禁帶半導體材料，和傳統材料相比具有更加優異的物理性能，可以有效提升下游器件的功率密度和整體性能，在電力電子以及微波電子領域有著廣泛的應用前景。但優越的物理性能背后是精密且復雜的制備工藝，碳化硅單晶的生長需要在高溫低壓密閉環境下進行，且微小的環境變化都會引起晶格錯亂從而影響襯底材料的品質。

公司依托卓越的研發團隊和多年積累的產業化經驗，重視技術引領、品質提升，長期堅持創新，以打造一體化解決方案為核心，完善服務、完善產品，力爭成為國際著名的半導體材料公司。

襯底電學性能決定了下游芯片功能與性能的優劣，為使材料能滿足不同芯片的功能要求，需要制備電學性能不同的碳化硅襯底。按照電學性能的不同，碳化硅襯底可分為高電阻率的半絕緣型碳化硅襯底，和低電阻率的導電型碳化硅襯底。碳化硅單晶在自然界極其稀有，幾乎不存在。只能依靠人工合成制備。目前工業生產碳化硅襯底材料以物理氣相升華法為主，這種方法需要在高溫真空環境下將粉料升華，然后通過溫場的控制讓升華后的組分在籽晶表面生長從而獲得碳化硅晶體。整個過程在密閉空間內完成，有效的監控手段少，且變量多，對于工藝控制精度要求極高。

天岳先進自主掌握了從粉料合成到晶體生長、加工的完整全工藝過程。物理氣相升華法（簡稱PVT）對原料進行加熱，通過氣相升華和溫場控制使升華的組分在籽晶表面再結晶。

產品圖譜：

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